АНУ-ын эрдэмтэд нь 1 TB ( 1000 GB ) хvртэлх єгєгдєл хадгалах боломж олгох шинэ санах ойх боловсруулсан байна. Шинэ санах ой нь молекулын тvвшинд ажилладаг бєгєєд одоо байгаа бусад технологиудтай харьцуулахад цахилгаан эрчим хvч бага хэрэглэдэг, vйлдвэрлэхэд хямд аж.
Флэш санах ойд мэдээлэл нь цэнэг байдлаар хадгалагдаж байдаг бол энд зэсийн салангид атомуудаас бvрдсэн программчлагдах функц бvхий (Programmable Metallization Cell, PMC) металлчлагдсан vvрнvvдийг ашиглах юм байна. Сєрєг цэнэгийн нєлєєгєєр эдгээр атомууд нь нэгэн шугамын дагуу эгнэснээр хоёр электродын хооронд гvvр хэлбэрийн нано утас vvсгэн логик нэгж бий болгодог. Салангид vедээ логик тэг бий болно. Энэ нь усыг талстжих процесстой олон талаар адил боловч нэмэх цэнэгийн vйлчлэлээр хоёр электрод хоорондын нано холболтыг устган атомуудын анхны байдалд нь оруулдгаараа ялгаатай ажээ.
Ийм санах ойтой єчvvхэн бага хуримтлуулагч нь терабайт мэдээлэл тогтоох чадвартай гэж Аризона мужийн их сургуулийн хэрэглээний наноионикийн тєвийн захирал Майкл Козицки мэдэгдэж байна. Ингэснээр бага оврын электрониктой холбоотой санах ойны бvх хязгаарлалтууд арилах бєгєєд хvн хvсвэл амьдралынхаа эгшин бvрийн видео бичлэгт буулган хадгалах боломжтой болох ажээ.
Энэхvv молекулын тvвшний санах ой нь Flash ойноос цахилгаан эрчим хvчний хэрэглээний хувьд мянга дахин бага, нэг бит мэдээлэл зарцуулагдах зардлын хувьд арав дахин хямд гэж эрдэмтэд нотолж байна. Учир нь vvнийг vйлдвэрлэхэд одоо байгаа материалуудыг ашиглах боломжтой аж.
Хэд хэдэн компаниуд энэ технологийг єєрийн бvтээгдэхvvндээ ашиглах лицензийг аваад байгаа бєгєєд анхны чип нь 1,5 жилийн дараа гарах гэнэ.